Samsung sắp sửa trình làng RAM "khủng" 128GB

Samsung tạo nhiều dấu ấn khi lần đầu tiên giới thiệu 3D TSV DDR4 DRAM (64GB) vào năm 2014. Mới đây, Samsung đã chính thức thông báo sẽ bắt tay vào sản xuất module RAM mới dung lượng lưu trữ cao gấp đôi lên tới 128GB chủ yếu dành cho dòng máy chủ hiệu năng cao.

Sản phẩm RAM DDR4 128GB được thiết kế dựa trên công nghệ 3D TSV (hrough silicon via) thay cho dây dẫn truyền thống làm rút ngắn đường truyền tín hiệu, cho phép xếp chồng nhiều chip lên nhau, tăng mật độ chip, giảm các socket giúp tăng cường hiệu năng của hệ thống máy chủ. Thế hệ RAM mới được Samsung kỳ vọng sẽ mở ra giải pháp mới cho doanh nghiệp, mở rộng các gói đầu tư, tăng năng suất và trải nghiệm người dùng.

Samsung tiết lộ trang trên mỗi thanh TSV DDR4 DRAM 124GB sẽ có 144 chip nhớ được xếp trên 36 bộ, mỗi bộ 4GB RAM được tích hợp trên cùng 1 board mạch kết nối với máy tính thông qua bộ nhớ RDIMM. Như vậy, một máy chủ với 96 khe DIMM nếu được cắm toàn bộ 128GB DDR4 DRAM thì dàn máy sẽ có một sức mạnh đáng kinh ngạc là 12,2TB hơn hẳn so với ổ cứng. Nhờ được sản xuất trên dây chuyền 20nm kích thước thu gọn 35% so với thế hệ RAM 64GB nên tốc độ truyền dữ liệu tối đa tăng gấp 8 lần đạt 2400Mbps, tương đương 30MB/s và tiết kiệm năng lượng lên tới 50%. 

Như vậy, trong tương lai, người dùng có thể sở hữu được những cỗ máy hiệu năng khủng với dung lượng RAM lên tới hàng chục TB.